III族窒化物半導体基板材料及びデバイスにおけるGaNナノワイヤーのパルス状成長及び応用

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人小田島特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008558549
Publication number (International publication number)：2009542560
Application date： Mar. 09, 2007
Publication date： Dec. 03, 2009
Summary：

例示の実施例は、高品質(即ち、無欠陥)のIII族窒化物ナノワイヤー及び均一なIII族窒化物ナノワイヤーアレイを含む半導体デバイス、並びに規模の変更が可能なこれらの製造工程であって、各ナノワイヤーの位置、指向方向、断面の特徴、長さ及び結晶化度を正確に管理し得る製造工程を提供する。約10-1000nmの例示の直径の一定の断面特徴で約10nmから約1000μmの一様な長さを提供する開示されたIII族窒化物ナノワイヤー及び/又はナノワイヤーアレイを製造するためにパルス状成長モードを使用することができる。加えて、可視LED及びレーザーの製造を容易にするために、多数のGaNナノワイヤー及び/又はナノワイヤーアレイを合体させることにより高品質のGaN基板構造を形成することができる。更に、各ナノワイヤーの非極性側壁におけるコアシェル成長により、コアシェルナノワイヤー/MQW能動構造を形成することができる。

Claim (excerpt)：

基板の複数の部分を露出させるパターン化された複数の開口を有する選択成長マスクを基板上に形成する工程、パターン化された各開口に露出された基板の複数の部分の各々において半導体材料を成長させるために選択非パルス状成長モードを使用する工程、非パルス状成長モードからパルス状成長モードへの成長モードの転換を行う工程、及び半導体材料のパルス状成長モードを継続することにより複数の半導体ナノワイヤーを形成する工程、を有するナノワイヤーの製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/66 , C30B 29/62 , H01L 21/205

FI (3)：

C30B29/66 , C30B29/62 Q , H01L21/205

F-Term (41)：

4G077AA04 , 4G077AB02 , 4G077AB09 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077DB12 , 4G077DB13 , 4G077EA10 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077EE07 , 4G077EH04 , 4G077EH09 , 4G077HA06 , 4G077TA01 , 4G077TA03 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TC10 , 4G077TC19 , 4G077TF01 , 4G077TJ02 , 4G077TJ05 , 4G077TK01 , 4G077TK10 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AF04 , 5F045AF20 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA55 , 5F045EE12 , 5F045EE19 , 5F045GB19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

米国暫定出願第60/780,833号明細書
米国特願第60/789,337号明細書
米国特願第60/808,153号明細書

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Cited by examiner (1)

ナノワイヤー発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-111200 Applicant：三星電子株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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