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J-GLOBAL ID：200903003257283890
バイポーラトランジスタ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高山 敏夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993120577
Publication number (International publication number)：1994310521
Application date： Apr. 23, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】 バイポーラトランジスタの素子製作工程において、外部ベース領域表面保護層の形成及びベース層上面の露出を制御性、均一性良く行うことが可能となる素子構造を提供すること【構成】 バイポーラトランジスタにおいて、第1のエミッタ層2が単一のV族元素を含むIII-V族化合物半導体材料からなり、第2のエミッタ層3が第1のエミッタ層とは異なる単一のV族元素を含むIII-V族化合物半導体材料から構成されている。
Claim (excerpt)：
n形もしくはi形の第1のエミッタ層、n形もしくはi形の第2のエミッタ層、第2のエミッタ層に接するp形のベース層、n形、p形またはi形、もしくはn、p、i形の複合形からなるコレクタ層、n形のコレクタ電極層、を備え、さらに前記のエミッタ層、ベース層、コレクタ電極層の各層に接続されたエミッタ電極、ベース電極、及びコレクタ電極から構成されるバイポーラトランジスタに於て、前記第1のエミッタ層が単一のV族元素を含むIII-V族化合物半導体材料から成り、前記第2のエミッタ層が前記第1のエミッタ層とは異なる単一のV族元素を含むIII-V族化合物半導体材料から成ることを特徴とする、バイポーラトランジスタ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-193129
Applicant：松下電器産業株式会社
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特開平3-132038
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ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-284286
Applicant：シヤープ株式会社
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