半導体発光素子及び半導体発光装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001200148
Publication number (International publication number)：2002100804
Application date： Jun. 29, 2001
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】製造工程を複雑化させることなく、精度良く形成でき且つ結晶性の劣化も招かない構造の半導体発光素子を提供する。【解決手段】ウルツ鉱型の化合物半導体を選択的に成長して形成された選択結晶成長層と、前記選択結晶成長層上に形成される第1導電型クラッド層、活性層、及び第2導電型クラッド層とを有する発光素子を形成し、異なる結晶面に平行に延在する活性層や混晶構成原子の拡散長より大きな活性層、組成及び厚さの少なくとも一方が異なる活性層を形成することで、発光波長が互いに異なる複数の発光波長領域を活性層に形成し、それら複数の発光波長領域にそれぞれ電流を注入可能とする。選択成長に基づく構造から、バンドギャップエネルギーの同一活性層内での変化が実現され、製造工程を複雑化させることなく、精度良く素子や装置が形成できる。

Claim (excerpt)：

ウルツ鉱型の化合物半導体を選択的に成長して形成された選択結晶成長層と、前記選択結晶成長層上に形成される第1導電型クラッド層、活性層、及び第2導電型クラッド層とを有し、前記活性層の一部または全部は異なる結晶面にそれぞれ平行に延在されるように形成され、発光波長が互いに異なる第1発光波長領域及び第2発光波長領域をそれぞれ前記活性層に形成し、前記第1発光波長領域と前記第2発光波長領域にそれぞれ電流を注入可能としたことを特徴とする半導体発光素子。

FI (4)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E , H01L 33/00 F , H01L 33/00 L

F-Term (13)：

5F041AA12 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F041CA93 , 5F041CB11 , 5F041CB25 , 5F041FF06 , 5F041FF11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体光素子アレイの作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-048467 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (1)

半導体光素子アレイの作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-048467 Applicant：富士通株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

Cited by examiner (2)

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