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J-GLOBAL ID：200903089747874340

プラズマ処理方法及び装置

Inventor：
宝珍 隆三

About 宝珍 隆三

, 
木村 悌一

About 木村 悌一

, 
柳 義弘

About 柳 義弘


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 石原 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999283764
Publication number (International publication number)：2001110777
Application date： Oct. 05, 1999
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：
【要約】【課題】 誘電体の厚みを薄くできて真空室内に高周波電力を効率的に導入できるとともに製作費及びメンテナンス費用を低減できてコスト低下を図ることができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 真空室1内にガス導入口2からガスを供給しつつ真空室1を排気口3から真空排気し、真空室1内を所定圧力に制御しながら、真空室1内の電極5上に加工物4を載置し、真空室1外で電極5とほぼ平行に対向するように配設した複数の螺旋状コイル9に高周波電力を印加し、真空室1に設けた支持構造体8にて真空室1内外の圧力差に耐えられるように保持された誘電体7を介して真空室1内に高周波電力を導入してプラズマを発生させ、加工物4を処理するようにした。
Claim (excerpt)：
真空室内にガスを供給しつつ真空室を真空排気し、真空室内を所定圧力に制御しながら、真空室内の電極上に加工物を載置し、真空室外に電極とほぼ平行に対向するように配設したコイルに高周波電力を印加し、真空室に設けた支持構造体にて真空室内外の圧力差に耐えられるように保持された誘電体を介して真空室内に高周波電力を導入してプラズマを発生させ、加工物を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/507 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (4)：
C23C 16/507 ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 B
F-Term (34)：
4K030DA04 ,  4K030FA04 ,  4K030KA12 ,  4K030KA15 ,  4K030KA46 ,  4K030LA16 ,  4K057DB05 ,  4K057DB08 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DE14 ,  4K057DM03 ,  4K057DM06 ,  4K057DM28 ,  4K057DN02 ,  5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BC08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA29 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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