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J-GLOBAL ID：200903094860312573

プラズマ発生装置及びその方法、並びにプラズマ処理装置及びその方法

Inventor：
中川 秀夫

About 中川 秀夫


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996101244
Publication number (International publication number)：1997289193
Application date： Apr. 23, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：
【要約】【課題】 プラズマ処理に用いられるプラズマの解離度とイオンエネルギーとを独立して制御できるようにする。【解決手段】 プラズマを生成するプラズマ生成室11とプラズマ処理を行なうプラズマ処理室12とは、互いに独立に設けられていると共にプラズマ輸送路13によって連通している。プラズマ生成室11には気体を導入する気体導入手段15が設けられている。プラズマ処理室12には、気体を排出する排気手段16、半導体ウェハ20を保持する試料台17が設けられており、試料台17には第1の高周波電源19が接続されている。プラズマ生成室11の上には絶縁体21を介して誘導結合コイル22が設けられ、該誘導結合コイルの一端は第2の高周波電源23に接続され、他端は接地されている。プラズマ生成室11で生成されたプラズマはプラズマ輸送路13により解離度を低下されつつプラズマ処理室12に輸送される。
Claim (excerpt)：
気体を導入する気体導入手段を有し、該気体導入手段により導入された気体からプラズマを生成するプラズマ生成室と、該プラズマ生成室において生成されたプラズマを放出するプラズマ放出口と、前記プラズマ生成室において生成されたプラズマをプラズマの解離度を低下させつつ前記プラズマ放出口に輸送するプラズマ輸送路とを備えていることを特徴とするプラズマ発生装置。
IPC (5)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (5)：
H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 L
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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