パターン形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：渡邉一平 , 木川幸治 , 菅野重慶
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008028876
Publication number (International publication number)：2009188318
Application date： Feb. 08, 2008
Publication date： Aug. 20, 2009
Summary：

【課題】より微細なパターンを簡便かつ効率的に形成可能であるとともに、半導体の製造プロセスに適用することのできる、実用性の高いパターン形成方法、及びそれに用いられる感放射線性樹脂組成物を提供する。【解決手段】露光量Aでアルカリ可溶性となり、露光量Bでアルカリ不溶性又は難溶性となる(但し、露光量A<露光量Bである)感放射線性樹脂組成物からなるレジスト層2に、(1)第一の開口パターンを有する第一のマスクを介して露光量Bで露光してネガ型の潜像パターンを形成するネガ型潜像パターン形成工程と、(2)第二の開口パターンを有する第二のマスク22を介して露光量Aで露光してポジ型の潜像パターン14を形成するポジ型潜像パターン形成工程と、(3)アルカリ条件で現像する現像工程とを備えたパターン形成方法である。【選択図】図9

Claim (excerpt)：

露光量Aでアルカリ可溶性となり、露光量Bでアルカリ不溶性又は難溶性となる(但し、露光量A<露光量Bである)感放射線性樹脂組成物からなる、基板上に形成されたレジスト層に、 (1)第一の開口パターンを有する第一のマスクを介して、露光量Bで露光してネガ型の潜像パターンを形成するネガ型潜像パターン形成工程と、 (2)第一の開口パターンと異なる第二の開口パターンを有する第二のマスクを介して、露光量Aで露光してポジ型の潜像パターンを形成するポジ型潜像パターン形成工程と、 (3)アルカリ条件で現像して、前記ネガ型の潜像パターンに由来する第一のパターンと、前記ポジ型の潜像パターンに由来する第二のパターンと、を有する第三のパターンを形成する現像工程と、を備えたパターン形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 , G03F 7/038 , G03F 7/039

FI (5)：

H01L21/30 514A , G03F7/038 601 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502C , H01L21/30 502R

F-Term (15)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD06 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025CC17 , 2H025FA10 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 5F046AA11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-060955 Applicant：日本電信電話株式会社
液浸型露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-121757 Applicant：株式会社ニコン

Cited by examiner (5)

ESD防止デバイス及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-120845 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
トランジスタ構造及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-201979 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開平4-070755

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