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J-GLOBAL ID：200903089796686592

プラズマ処理装置および方法

Inventor：
スニル ウィクラマナヤカ

About スニル ウィクラマナヤカ


Applicant, Patent owner：
キヤノンアネルバ株式会社

About キヤノンアネルバ株式会社


Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004298825
Publication number (International publication number)：2006114614
Application date： Oct. 13, 2004
Publication date： Apr. 27, 2006
Summary：
【発明の課題】 電子陰影効果を制限することができ、高エネルギのイオンまたは電子を生じることなくダメージのないウェハー処理として構成されるプラズマ処理装置および方法を提供すること。【解決手段】 プラズマ処理装置は、プラズマ生成部100と、処理されるべきウェハー15が配置されているウェハー処理部200と、プラズマ生成部およびウェハー処理部を分離する金属グリッド22と、プラズマ生成部に配置され、電子を放出するためのポーラスシリコン層27を有する上部電極21と、ガスを導入するガス導入ユニットと、プロセスガスを導入するためのガス導入口とから構成される。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
プラズマ生成機構を含むプラズマ生成部と、 処理されるべきウェハーがウェハーホルダにおける下部電極上に配置されているウェハー処理部と、 前記プラズマ生成部と前記ウェハー処理部を分離し、前記ウェハー処理部に到来する望ましくないイオンと電子を除去するフィルタと、 前記プラズマ生成部に配置され、電子を放出する表面部を有する上部電極と、 前記プラズマ生成部にガスを導入するガス導入ユニットと、 前記ウェハー処理部にプロセスガスを導入するガス導入部と、 を備えるプラズマ処理装置、
IPC (5)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/509 ,  H05H 1/24 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/306
FI (5)：
H01L21/205 ,  C23C16/509 ,  H05H1/24 ,  H05H1/46 A ,  H01L21/302 101B
F-Term (26)：
4K030FA03 ,  4K030KA17 ,  4K030KA18 ,  4K030KA19 ,  4K030KA47 ,  5F004AA06 ,  5F004BA03 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB12 ,  5F004BB29 ,  5F004CA03 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F045AA08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045BB16 ,  5F045EH01 ,  5F045EH04 ,  5F045EH06 ,  5F045EH08 ,  5F045EH13 ,  5F045EH20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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