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J-GLOBAL ID：200903089874359226

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 両澤 克彦 ,  桑山 晋太郎 ,  工藤 利雄 ,  若井 晴夫
Applicant, Patent owner： カシオ計算機株式会社
Agent (1)： 杉村 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995351233
Publication number (International publication number)：1997186335
Application date： Dec. 27, 1995
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 従来のボトムゲート型のアモルファスシリコン薄膜トランジスタの製造プロセスラインを使用して製造した薄膜トランジスタにおいて、高オン電流特性と低リーク電流特性とを共に得ることができるようにする。【解決手段】 チャネル領域を形成する半導体薄膜4は真性ポリシリコンによって形成されている。したがって、従来のアモルファスシリコン薄膜トランジスタと比較して、高オン電流特性を得ることができる。また、チャネル保護膜5のチャネル方向幅をゲート電極2のゲート幅よりも左右でそれぞれ0.3〜2μm程度大きくしてオフセット構造としたことにより、従来のアモルファスシリコン薄膜トランジスタと比較して、ほぼ同等の低リーク電流特性を得ることができる。

Claim (excerpt)：

ソース、ドレイン、チャネル領域を有し、少なくとも前記チャネル領域がポリシリコンからなる半導体薄膜の一面にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、他面に左右端がそれぞれ前記ゲート電極よりチャネル方向に突出したチャネル保護膜が形成されており、前記ソース、ドレイン領域にそれぞれソース、ドレイン電極が接続されたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/12

FI (4)：

H01L 29/78 617 A ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 多結晶シリコン薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-018007   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-332134
  
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-107787   Applicant：株式会社東芝
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-186743   Applicant：ソニー株式会社