メモリ膜およびその製造方法、並びにメモリ素子、半導体記憶装置、半導体集積回路および携帯電子機器

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , , ,
Agent (1)：青山葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001046260
Publication number (International publication number)：2002252290
Application date： Feb. 22, 2001
Publication date： Sep. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】低電圧で動作可能なメモリ膜およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】第1の電極となる半導体基板111上に第1の絶縁膜112を形成する。第1の絶縁膜112上に第1の導電体膜113を形成する。第1の導電体膜113の表面に第2の絶縁膜112Bを形成する。第2の絶縁膜112B上に導電体の微粒子114,115を含む第3の絶縁膜を形成する。第3の絶縁膜上に第2の電極となる第2の導電体膜を形成する。

Claim (excerpt)：

第1の電極となる半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、上記第1の絶縁膜上に第1の導電体膜を形成する工程と、上記第1の導電体膜の表面に第2の絶縁膜を形成する工程と、上記第2の絶縁膜上に導電体の微粒子を含む第3の絶縁膜を形成する工程と、上記第3の絶縁膜上に第2の電極となる第2の導電体膜を形成する工程とを含むことを特徴とするメモリ膜の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , C23C 16/24 , H01L 21/205 , H01L 21/316 , H01L 27/115 , H01L 27/10 461

FI (6)：

C23C 16/24 , H01L 21/205 , H01L 21/316 S , H01L 27/10 461 , H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

F-Term (44)：

4K030AA06 , 4K030BA29 , 4K030BB03 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030DA09 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030LA15 , 5F045AB02 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AD10 , 5F045BB08 , 5F045BB16 , 5F045HA01 , 5F058BD02 , 5F058BD03 , 5F058BD04 , 5F058BF61 , 5F083EP17 , 5F083EP22 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP79 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083GA28 , 5F083HA02 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083NA01 , 5F083NA08 , 5F083PR21 , 5F083ZA12 , 5F101BA54 , 5F101BB02 , 5F101BD02 , 5F101BD34 , 5F101BE07 , 5F101BH12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体ナノ結晶の製造方法およびその半導体ナノ結晶を用いた半導体記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-266986 Applicant：シャープ株式会社
特開平1-115165
クーロン閉塞が可能な多重メモリ装置、該装置の製造方法及び該装置における読出/書込/消去方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-525933 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク

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