半導体装置及び実装方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999364140
Publication number (International publication number)：2001185582
Application date： Dec. 22, 1999
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】配線基板の再利用(リペア)可能で、リペア性を向上させた半導体装置及び実装方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体素子1と配線基板7とを封止している熱硬化性樹脂層3aと配線基板7との間に熱可塑性樹脂層4aを有する。本発明の実装方法は、配線基板7に熱可塑性樹脂フィルム4を貼り付けし、熱可塑性樹脂フィルム4の上に封止樹脂である熱硬化性樹脂3を供給し、半導体素子1に形成した尖った形状をした突起電極2が熱可塑性樹脂フィルム4を突き破り配線基板7の配線パターン6に接触し接続を得、熱硬化性樹脂3および熱可塑性樹脂フィルム4を加熱して熱可塑性樹脂フィルム4を溶融し、熱可塑性樹脂フィルム4を固化させるとほぼ同時に熱硬化性樹脂3を硬化させ、半導体素子1を配線基板7に接続する。

Claim (excerpt)：

配線パターンが形成された配線基板と、尖った形状をした突起電極がアルミ電極上に形成され、前記突起電極で前記配線パターンに接続されている半導体素子と、前記半導体素子と前記配線基板とを封止している熱硬化性樹脂層と、前記熱硬化性樹脂層と前記配線基板との間に設けられた熱可塑性樹脂層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/56

FI (2)：

H01L 21/60 311 S , H01L 21/56 R

F-Term (6)：

5F044KK01 , 5F044LL11 , 5F061AA01 , 5F061BA03 , 5F061CA24 , 5F061FA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

ICチップの回路基板への実装構造と実装方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-166573 Applicant：富士通株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-203563 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置の実装方法および実装構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-192150 Applicant：日本電気株式会社

Show all

Return to Previous Page