Pat
J-GLOBAL ID:200903090050254903
薄膜トランジスタ及び表示装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
芝野 正雅
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999279874
Publication number (International publication number):2001102595
Application date: Sep. 30, 1999
Publication date: Apr. 13, 2001
Summary:
【要約】【課題】 スイッチング用TFTのリーク電流を抑制して自発光素子駆動用TFTのゲート電極の電位を一定に保つことによりEL素子が発光すべき輝度で発光するEL表示装置を提供するとともに、高密度に表示画素及び各配線を配置することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】 ゲート信号線51aの一部が突出して成るゲート電極11の延在方向が、そのゲート信号線51aの延在方向に対して傾斜した形状とすることにより、スイッチング用TFT30の能動層をa-Si膜に線状のレーザ光を照射してp-Si膜とする際に、チャネル13cとの接合部とレーザ光の長軸方向の端部と重畳しないため、リーク電流の発生しないスイッチング用TFT30を得ることがとができ、安定した表示のEL表示装置を得ることができる。
Claim (excerpt):
ゲート信号線から突出して成るゲート電極の主たる延在方向が、前記ゲート信号線の延在方向に対して傾斜していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3):
H01L 29/786
, G09F 9/30 338
, H05B 33/14
FI (4):
G09F 9/30 338
, H05B 33/14 A
, H01L 29/78 617 K
, H01L 29/78 618 C
F-Term (51):
3K007AB02
, 3K007AB05
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA01
, 5C094AA05
, 5C094AA22
, 5C094AA25
, 5C094AA43
, 5C094AA48
, 5C094BA03
, 5C094BA29
, 5C094CA19
, 5C094DA13
, 5C094DB04
, 5C094EA04
, 5C094EA10
, 5C094EB02
, 5C094FA01
, 5C094FB01
, 5C094FB12
, 5C094FB14
, 5C094GB10
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110EE04
, 5F110EE28
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG44
, 5F110HJ01
, 5F110HJ13
, 5F110HL03
, 5F110HM15
, 5F110HM17
, 5F110NN03
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN72
, 5F110PP03
, 5F110PP04
, 5F110PP23
, 5F110QQ11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
液晶表示素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-194113
Applicant:カシオ計算機株式会社
-
特開昭63-151083
-
表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-028706
Applicant:三洋電機株式会社
-
アクティブマトリクス型表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-234921
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
半導体表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-026592
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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