CMP研磨剤及び基板の研磨方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001197276
Publication number (International publication number)：2003017446
Application date： Jun. 28, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】電気特性不良に至る研磨傷をほとんど発生させずに且つ高速研磨して高平坦化された基板を得ることが可能な、CMP研磨剤及び基板の研磨方法を提供する。【解決手段】水溶性高分子/酸化セリウム粒子の重量比が1〜3になるように混合し、研磨剤の電気伝導度が0.5〜5.0mS/cmである酸化セリウム粒子、水溶性高分子、及び水を含むCMP研磨剤並びに電気伝導度が0.5〜5.0mS/cm、酸化セリウム粒子濃度が0.5〜3.0重量%で、水溶性高分子濃度が0.5〜3.0重量%である酸化セリウム粒子、水溶性高分子、及び水を含むCMP研磨剤を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、酸化珪素絶縁膜が形成された半導体チップである基板の被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて研磨することを特徴とする基板の研磨方法。

Claim (excerpt)：

酸化セリウム粒子、水溶性高分子及び水を含み電気伝導度が0.5〜5.0mS/cmであるCMP研磨剤。

IPC (2)：

H01L 21/304 622 , B24B 37/00

FI (2)：

H01L 21/304 622 D , B24B 37/00 H

F-Term (8)：

3C058AA07 , 3C058CB01 , 3C058CB02 , 3C058CB03 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

研磨用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-325618 Applicant：株式会社フジミインコーポレーテッド
CMP研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-263858 Applicant：日立化成工業株式会社
増粘剤を添加した半導体用研磨剤
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-163411 Applicant：セイミケミカル株式会社

Show all

Cited by examiner (5)

研磨用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-325618 Applicant：株式会社フジミインコーポレーテッド
CMP研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-263858 Applicant：日立化成工業株式会社
増粘剤を添加した半導体用研磨剤
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-163411 Applicant：セイミケミカル株式会社

Show all

Return to Previous Page