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J-GLOBAL ID:200903082244457357
増粘剤を添加した半導体用研磨剤
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小池 信夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999163411
Publication number (International publication number):2000351956
Application date: Jun. 10, 1999
Publication date: Dec. 19, 2000
Summary:
【要約】【課題】 砥粒である酸化セリウム粒子の沈降速度が遅く、長期間の保存においても分散状態の安定を保つことのでき、研磨時に一定濃度で供給できる半導体用研磨剤スラリーを提供する。【解決手段】 重量平均粒径が0.1〜0.35μmである酸化セリウムを増粘剤によりスラリ中に分散させて粘度を1.2〜200cPとした半導体用研磨剤とする。
Claim (excerpt):
増粘剤を添加した水又は水性媒体に重量平均粒径が0.1〜0.35μmである酸化セリウムを分散させてなり、かつ粘度が1.2〜200cPであることを特徴とする半導体用研磨剤。
IPC (5):
C09K 3/14 550
, C09K 3/14
, B24B 37/00
, H01L 21/304 622
, H01L 21/304
FI (5):
C09K 3/14 550 C
, C09K 3/14 550 Z
, B24B 37/00 H
, H01L 21/304 622 D
, H01L 21/304 622 X
F-Term (4):
3C058AA07
, 3C058CB10
, 3C058DA02
, 3C058DA17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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スラリーおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-115398
Applicant:ソニー株式会社
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酸化セリウム研磨剤及び基板の製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-077814
Applicant:日立化成工業株式会社, 株式会社日立製作所
-
研磨方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-157385
Applicant:株式会社東芝
-
シリコンウェハ用ラップ液およびラップ剤
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-178331
Applicant:東京ファインケミカル株式会社
-
ポリッシング用スプレー研磨剤
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-326829
Applicant:理研コランダム株式会社
-
CMP研磨剤及び基板の研磨方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-286142
Applicant:日立化成工業株式会社
-
研磨剤及び基板の研磨法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-339269
Applicant:日立化成工業株式会社
-
半導体用研磨剤および半導体用研磨剤の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-116556
Applicant:セイミケミカル株式会社
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