Pat

J-GLOBAL ID：200903090144161925

半導体メモリ装置

Inventor： 神原 春明 ,  花原 成美 ,  山下 隆弘 ,  網崎 真哉 ,  梅沢 功 ,  浦川 文隆 ,  前田 浩司
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996244832
Publication number (International publication number)：1998091535
Application date： Sep. 17, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 フラッシュメモリを利用した半導体メモリ装置において各ブロックの消去回数を均等化する。【解決手段】 各ブロックの消去回数をカウンタエリア5で管理し、その回数に基づいてブロック同士のデータの入れ替えを行なう。

Claim (excerpt)：

ブロック単位で消去可能なフラッシュメモリを有する半導体メモリ装置であって、各ブロックの消去回数を管理し、その消去回数に基づいてブロック同士のデータの入れ替えを行なうことを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (3)：

G06F 12/16 310 ,  G06F 12/16 ,  G11C 16/06

FI (3)：

G06F 12/16 310 A ,  G06F 12/16 310 Q ,  G11C 17/00 530 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 電気的消去可能な不揮発性メモリの書き込み回数管理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-129295   Applicant：日本電気株式会社
• 不揮発性フラッシュメモリの制御方法とその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-298149   Applicant：三星電子ジャパン株式会社
• 書換回数制限型メモリのデータ管理方式
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-314467   Applicant：富士通株式会社