パッド構造

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993133972
Publication number (International publication number)：1994326150
Application date： May. 12, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、上層のパッドを形成する際の逆スパッタ時における下層のパッドにチャージアップされる電荷量の低減を図ることにより、半導体装置の信頼性を高める。さらに多層パッド構造の占有面積の低減を図る。【構成】基板11上に第1のパッド12が形成されていて、それを覆う状態に第1の絶縁膜13が形成され、第1のパッド12の側周側上の第1の絶縁膜13には接続孔14が形成されていて、接続孔14を通して第1のパッド12に接続する第2のパッド15が第1の絶縁膜13上に形成されているものである。上記接続孔14は、複数設けられている、または第1のパッド12の中央部上の第1の絶縁膜13を連続的に囲む状態に設けられている。また上記パッド構造のうちのいづれか一方の構造または両方の構造よりなるもので、3層以上のパッドでパッド構造を構成してもよい。

Claim (excerpt)：

基板上に形成した第1のパッドと、前記第1のパッドを覆う状態に形成した絶縁膜と、前記第1のパッドの側周側上の絶縁膜に形成した接続孔と、前記接続孔を通して前記第1のパッドに接続するもので、前記絶縁膜上に形成した第2のパッドとよりなることを特徴とするパッド構造。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平3-153042
特開平4-253337
半導体集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-067151 Applicant：富士電機株式会社

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