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J-GLOBAL ID：200903090269932664

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法

Inventor：
品川 修一

About 品川 修一


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999041215
Publication number (International publication number)：2000244010
Application date： Feb. 19, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：
【要約】【課題】 十分な光透過性が得られしかも不連続な部分もないように透光性の金属膜をたとえばp型層の表面に形成でき光取り出し効率を更に向上し得るGaN系化合物半導体発光素子の製造方法の提供を目的とする。【解決手段】 透光性電極としての金属膜3を半導体発光素子の積層構造半導体1のたとえばp型層の表面に蒸着形成する半導体発光素子の製造方法であって、金属膜3を、積層構造半導体1の温度を20°C以下の温度に保った状態で金属材料により蒸着形成し、金属膜3の膜厚を1nm以上で5nm以下の範囲とする。また、金属材料の蒸着レートを0.1nm/秒以上で0.5nm/秒以下の範囲として金属膜3を蒸着形成する。
Claim (excerpt)：
絶縁性の基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体を積層した積層構造半導体の表面に、透光性電極としての金属膜を蒸着形成する半導体発光素子の製造方法であって、前記金属膜を、前記積層構造半導体の温度を20°C以下に保った状態で金属材料により蒸着形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205
F-Term (23)：
5F041AA05 ,  5F041CA02 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA98 ,  5F041DA07 ,  5F041DA16 ,  5F045AA18 ,  5F045AB14 ,  5F045AB40 ,  5F045AD03 ,  5F045AD04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF14 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045EB13 ,  5F045EG03 ,  5F045EJ02 ,  5F045GB09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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