p型窒化物半導体の電極および前記電極を有する半導体素子およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鳥居洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997053477
Publication number (International publication number)：1998256184
Application date： Mar. 07, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】オーミック特性および半導体膜との付着性に優れ、また、透光性電極として用いる場合にも付着性および導通性に優れたp型窒化物半導体の電極を提供する。【解決手段】この発明のp型窒化物半導体の電極は、例えば、青色LEDのp-GaN層3上の透光性電極4として形成されるものであり、オーミック接触を得るように形成されたパラジウム(Pd)と、その上面に形成された金(Au)とから成っている。

Claim (excerpt)：

パラジウム(Pd)から成るp型窒化物半導体の電極。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 , H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/28 301 H , H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-305257 Applicant：旭化成工業株式会社
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-038157 Applicant：株式会社東芝
オーミック電極およびその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-213117 Applicant：ソニー株式会社

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