半導体装置の作製方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002344069
Publication number (International publication number)：2003229432
Application date： Nov. 27, 2002
Publication date： Aug. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】 TFTの配置に合わせた結晶粒の位置制御と、結晶化工程の処理速度の向上を同時に解決することを目的とする。より特定すれば、人工的に制御したスーパーラテラル成長による大粒結晶を連続的に形成させることができ、レーザー結晶化工程における基板処理効率を高めることができる半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板面内の半導体膜全体にレーザー照射するのではなく、少なくとも必要不可欠な部分が最低限結晶化できるように、位置基準となるマーカーを形成する。レーザー結晶化にかかる時間を短縮化することができるので基板の処理速度を向上させることができる。上記構成を従来のSLS法に対して適用することにより、従来のSLS法の基板処理効率が悪いという問題を解決するための手段となる。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上に薄膜トランジスタが設けられた半導体装置の作製方法であって、前記絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜にマーカーを形成し、前記薄膜トランジスタの配置情報に基づいて、前記マーカーを基準とし、前記薄膜トランジスタの活性層を形成する領域に選択的にレーザー光を照射して結晶化し、前記レーザー光はパルス発振のレーザー光であり、前記非晶質半導体膜上の前記レーザ光の移動する方向は、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域においてキャリアが移動する方向と平行であり、前記レーザー光の照射により前記非晶質半導体膜が厚さ全体にわたって溶融すること、を特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786

FI (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 21/268 J , H01L 29/78 627 G

F-Term (97)：

5F052AA02 , 5F052AA17 , 5F052AA24 , 5F052BA07 , 5F052BA15 , 5F052BB02 , 5F052BB03 , 5F052BB05 , 5F052BB07 , 5F052CA10 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052EA12 , 5F052EA15 , 5F052EA16 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F052JA04 , 5F110AA01 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN73 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP24 , 5F110PP29 , 5F110PP31 , 5F110PP34 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

薄膜トランジスタとその製造方法及びそれを用いた液晶表示装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-046228 Applicant：松下電器産業株式会社
レーザアニール装置及びこの装置を用いた薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-079477 Applicant：松下電器産業株式会社
レーザー装置及びレーザーアニール方法並びに半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-243525 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Return to Previous Page