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J-GLOBAL ID：200903090636082788
電磁界特性解析方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
草野 卓
, 稲垣 稔
, 横田 芳信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003028581
Publication number (International publication number)：2004239736
Application date： Feb. 05, 2003
Publication date： Aug. 26, 2004
Summary：
【課題】複雑な構造の高周波機器をより精度高く、且つ、少ないメモリ容量、短い計算時間で解析することができる電磁界特性解析方法を提供する。【解決手段】FDTD法により電磁界特性をシミュレーションする電磁界特性解析方法において、不等間隔メッシュを用いて解析空間を構成し、解析空間の吸収境界条件としてUPMLを用い、吸収境界におけるメッシュ間隔を異にする一方のメッシュ領域の磁界と他方のメッシュ領域の磁界を用いてこれら両磁界の間に補間して仮想磁界成分を得、この仮想磁界成分を用いて解析を進める電磁界特性解析方法。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
FDTD法により電磁界特性をシミュレーションする電磁界特性解析方法において、
不等間隔メッシュを用いて解析空間を構成し、解析空間の吸収境界条件としてUPMLを用いることを特徴とする電磁界特性解析方法。
IPC (3)：
G01R29/08
, G06F17/13
, G06F17/50
G01R29/08 Z
, G06F17/13
, G06F17/50 612H
, G06F17/50 680Z
5B046AA07
, 5B046JA10
, 5B056BB03
, 5B056BB22
, 5B056HH07
Cited by examiner (8)
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Article cited by the Patent：
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