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J-GLOBAL ID：200903090658283043

ダミーウエハ

Inventor： 外谷 栄一 ,  我妻 新哉 ,  市島 雅彦 ,  永田 智浩
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 赤野 牧子 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995322328
Publication number (International publication number)：1997139330
Application date： Nov. 15, 1995
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体熱処理炉内の均熱化及び処理ウエハの汚染防止に有効なダミーウエハの提供。【解決手段】 半導体熱処理工程用のダミーウエハであって、ガラス状カーボン材で形成されることを特徴とするダミーウエハ。特に、室温から450°Cにおける熱膨張係数が2.5〜3.5×10-6/°Cであるガラス状カーボンで形成されることが好ましい。また、少なくとも一面が鏡面に形成されることが好ましい。

Claim (excerpt)：

半導体熱処理工程用のダミーウエハであって、ガラス状カーボン材で形成されていることを特徴とするダミーウエハ。

IPC (6)：

H01L 21/02 ,  C01B 31/02 101 ,  C04B 35/52 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324

FI (6)：

H01L 21/02 B ,  C01B 31/02 101 Z ,  H01L 21/22 501 F ,  H01L 21/31 F ,  H01L 21/324 D ,  C04B 35/52 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体ウエハダミー、その製造方法及び前記半導体ウエハダミーによるプラズマエッチングチャンバー内等の清浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-054645   Applicant：日清紡績株式会社
• 熱処理用ホットプレート
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-036131   Applicant：日立化成工業株式会社
• ダミーウェハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-103887   Applicant：東芝セラミックス株式会社