半導体の作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995159976
Publication number (International publication number)：1996330227
Application date： Jun. 02, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】高い結晶性を有する結晶性珪素膜を得る。【構成】石英基板101上に下地膜として酸化珪素膜102を成膜し、さらに非晶質珪素膜103を成膜する。そして、珪素の結晶化を助長する金属元素を非晶質珪素膜103の表面に接して保持させる。この状態で800〜1100°Cの温度で加熱処理を行う。そして、非晶質珪素膜103を結晶化させ、結晶性珪素膜106に変成する。

Claim (excerpt)：

石英基板上に成膜された珪素膜上に珪素の結晶化を助長する金属元素を接して保持させる工程と、800°C〜1100°Cの温度で加熱処理を施し、前記珪素膜を結晶性珪素膜に変成するまたは前記珪素膜の結晶性を助長する工程と、を有することを特徴とする半導体の作製方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 27/12 R , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-040522 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭62-169320
ガラス基板および加熱処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-279029 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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