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J-GLOBAL ID：200903090857296154

歪多重量子井戸構造およびその成長方法

Inventor： 小笠原 松幸 ,  杉浦 英雄 ,  満原 学
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997025092
Publication number (International publication number)：1998223987
Application date： Feb. 07, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 歪多重量子井戸構造において、歪井戸層の島状の成長、組成分離を防いで特性劣化を防止する。【解決手段】 歪多重量子井戸構造は、基板と異なる格子定数を有する井戸層と、この井戸層を両側から挟むように配置された障壁層からなる歪多重量子井戸構造であって、井戸層に歪分布が設けられている。

Claim (excerpt)：

基板と異なる格子定数を有する井戸層と、障壁層とを、交互に複数層積層した歪多重量子井戸構造において、前記井戸層に歪分布を設けたことを特徴とする歪多重量子井戸構造。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/025 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/025 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-274124   Applicant：日本電気株式会社
• 歪量子井戸構造素子及びそれを有する光デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-264340   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-061772   Applicant：株式会社日立製作所