歪量子井戸構造素子及びそれを有する光デバイス

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993264340
Publication number (International publication number)：1995099369
Application date： Sep. 28, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】分布を持った歪量を有する歪量子井戸構造素子及びそれを備えた半導体レーザなどの光デバイスである。【構成】半導体レーザなどの光デバイスの活性層3において、井戸層と障壁層を持つ歪量子井戸構造中の歪量に分布を持たせる。電極7、10によって外部より印加する電圧変化によって、量子井戸層中の遷移をTEが優勢な状態とTMが優勢な状態間で切りかえることができる様に、歪量子井戸構造のバンド構造が形成されている

Claim (excerpt)：

基板と異なる格子定数の半導体結晶を含む井戸層と障壁層を有する量子井戸構造を備え、該基板と該量子井戸構造を構成する半導体結晶の格子定数の差の量が、該量子井戸構造を構成する障壁層と井戸層の範囲で変化することを特徴とする歪量子井戸構造素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 , G02F 1/35 501 , H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-204768 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-231665 Applicant：富士通株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-061772 Applicant：株式会社日立製作所

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