エッチング剤及びエッチング方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003207819
Publication number (International publication number)：2005064064
Application date： Aug. 19, 2003
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：

【課題】次世代の半導体において絶縁材料として用いられる酸化ジルコニウム及び/又は酸化ハフニウムは、耐エッチング性が高いため、周辺の他の半導体材料を侵すことなくエッチングすることが出来なかった。【解決手段】フッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水を含んでなるエッチング剤では、酸化ケイ素、シリコン等の半導体材料を侵すことなく、酸化ジルコニウム及び/又は酸化ハフニウムを溶解することができる。またフッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水に無機酸を加えると特にエッチング速度が高められる。

Claim (excerpt)：

フッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水を含んでなる酸化ジルコニウム及び/又は酸化ハフニウムのエッチング剤。

IPC (2)：

H01L21/308 , H01L21/304

FI (2)：

H01L21/308 E , H01L21/304 647Z

F-Term (4)：

5F043AA37 , 5F043BB25 , 5F043FF10 , 5F043GG10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-320336
エッチング剤及びこのエッチング剤を用いた電子機器用基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-336639 Applicant：エルジー.フィリップスエルシーデーカンパニー,リミテッド
ゲート構造体及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-196239 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド

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