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J-GLOBAL ID：200903092258155065

高誘電率薄膜エッチング剤組成物

Inventor： 山田 健二 ,  大戸 秀
Applicant, Patent owner： 三菱瓦斯化学株式会社
Agent (1)： 永井 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003084472
Publication number (International publication number)：2004296593
Application date： Mar. 26, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：

【課題】高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にMOSFETの高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。【解決手段】酸化剤、キレート剤および水溶性フッ素化合物を含有する水溶液である高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。

Claim (excerpt)：

酸化剤、キレート剤および水溶性フッ素化合物を含有する水溶液である高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。

IPC (1)：

H01L21/308

FI (1)：

H01L21/308 E

F-Term (3)：

5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043GG10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 高誘電率薄膜エッチング剤組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-092794   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社
• ペロブスカイト型酸化物のエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-098333   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 誘電体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-060515   Applicant：松下電器産業株式会社
• 酸化アルミニウム用エッチング液
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-132200   Applicant：住友化学工業株式会社