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J-GLOBAL ID：200903091146176268

ガラス基板表面の加工方法

Inventor：
森 勇藏

About 森 勇藏

, 
岡村 敏彦

About 岡村 敏彦

, 
浅野 睦己

About 浅野 睦己


Applicant, Patent owner：
森 勇蔵

About 森 勇蔵


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004260991
Publication number (International publication number)：2006076816
Application date： Sep. 08, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：
【課題】UV領域以下の短波長の露光に用いられる反射型フォトマスク用Tiドープ低熱膨張石英ガラス基板につき、平坦度≦100nm、表面の自乗平均平方根粗さ≦0.15nmRMSを同時に満足する加工法を提供する。【解決手段】不活性ガスと反応ガスとの混合ガス中にガラス基板を配し、ガラス基板に対向して設けた電極に高周波電圧を印加して生成した局所的なプラズマによって反応ガスのラジカルを生成し、ガラス基板とラジカルとを化学反応させて生成する反応生成物の揮発量を、予め測定したガラス基板の表面形状データを基に制御してガラス基板表面を高平坦化する方法において、ガラス基板がTiドープ低熱膨張石英ガラスであり、混合ガス全量に対して酸素系ガスの存在が0.01vol%以下で加工を行なう。【選択図】 選択図なし
Claim (excerpt)：
不活性ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中にガラス基板を配設し、該ガラス基板に対向して設けられた加工電極に高周波電圧を印加することによって生成した局所的なプラズマによって該反応ガスのラジカルを生成し、該ガラス基板と該ラジカルとを化学反応させて生成する反応生成物の揮発量を、予め測定したガラス基板の表面形状のデータを基に制御し、該ガラス基板表面を高平坦化する方法において、ガラス基板がTiをドープした低熱膨張石英ガラスであり、混合ガス全量に対して酸素系ガスの存在が0.01vol%以下であることを特徴とするガラス基板表面の加工方法。
IPC (3)：
C03C 15/00 ,  C03B 20/00 ,  C03C 3/06
FI (3)：
C03C15/00 A ,  C03B20/00 F ,  C03C3/06
F-Term (64)：
4G014AH00 ,  4G059AA08 ,  4G059AA11 ,  4G059AC03 ,  4G059BB01 ,  4G059BB12 ,  4G062AA01 ,  4G062AA04 ,  4G062BB02 ,  4G062DA08 ,  4G062DB01 ,  4G062DC01 ,  4G062DD01 ,  4G062DE01 ,  4G062DF01 ,  4G062EA01 ,  4G062EA10 ,  4G062EB01 ,  4G062EC01 ,  4G062ED01 ,  4G062EE01 ,  4G062EF01 ,  4G062EG01 ,  4G062FA01 ,  4G062FB02 ,  4G062FB03 ,  4G062FC01 ,  4G062FD01 ,  4G062FE01 ,  4G062FF01 ,  4G062FG01 ,  4G062FH01 ,  4G062FJ01 ,  4G062FK01 ,  4G062FL01 ,  4G062GA01 ,  4G062GA10 ,  4G062GB01 ,  4G062GC01 ,  4G062GD01 ,  4G062GE01 ,  4G062HH01 ,  4G062HH03 ,  4G062HH05 ,  4G062HH07 ,  4G062HH09 ,  4G062HH11 ,  4G062HH13 ,  4G062HH15 ,  4G062HH17 ,  4G062HH20 ,  4G062JJ01 ,  4G062JJ03 ,  4G062JJ05 ,  4G062JJ07 ,  4G062JJ10 ,  4G062KK01 ,  4G062KK03 ,  4G062KK05 ,  4G062KK07 ,  4G062KK10 ,  4G062MM02 ,  4G062NN30 ,  4G062NN40
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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