ウエーハの加工方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：小野尚純 , 奥貫佐知子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004063483
Publication number (International publication number)：2005252126
Application date： Mar. 08, 2004
Publication date： Sep. 15, 2005
Summary：

【課題】ウエーハの分割予定ラインに沿って変質層を形成し、該変質層が形成された分割予定ラインに沿って分割されたチップの抗折強度を向上させることができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に機能素子が配設されたウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と、個々に分割されたチップを裏面を上にして互いに間隔を設けて支持部材に配設するチップ支持工程と、支持部材に互いに間隔を設けて配設されたチップの側面に残留している変質層を除去する変質領域除去工程とを含む。【選択図】図14

Claim (excerpt)：

表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に機能素子が配設されたウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と、個々に分割されたチップを裏面を上にして互いに間隔を設けて支持部材に配設するチップ支持工程と、該支持部材に互いに間隔を設けて配設されたチップの側面に残留している変質層を除去する変質領域除去工程と、を含む、ことを特徴とするウエーハの加工方法。

IPC (2)：

H01L21/301 , B23K26/00

FI (5)：

H01L21/78 Q , B23K26/00 320E , H01L21/78 B , H01L21/78 U , H01L21/78 S

F-Term (6)：

4E068AA01 , 4E068AD01 , 4E068AE01 , 4E068CA09 , 4E068CA11 , 4E068DA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特許第3408805号公報

Cited by examiner (6)

レーザ加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-067276 Applicant：浜松ホトニクス株式会社
ウェハからチップを形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-178612 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
半導体チップの形成方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-262575 Applicant：株式会社日立製作所

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