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J-GLOBAL ID：200903091283935079

半導体基板の製造方法

Inventor： 李 ▲きょう▼ 烈
Applicant, Patent owner： 三星コーニング株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002059204
Publication number (International publication number)：2002299267
Application date： Mar. 05, 2002
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 ベース基板を準備する第1段階と、前記準備されたベース基板上に第1緩衝層を形成する第2段階と、前記第1緩衝層上に半導体層を形成する第3段階と、前記ベース基板を分離する第4段階とを含む半導体基板の製造方法である。

Claim (excerpt)：

ベース基板を準備する第1段階と、前記ベース基板上に第1緩衝層を形成する第2段階と、前記第1緩衝層上に半導体層を形成する第3段階と、前記ベース基板を分離する第4段階とを含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38

FI (2)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D

F-Term (22)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EB01 ,  4G077EF03 ,  4G077EF04 ,  4G077FJ03 ,  4G077TB03 ,  4G077TC14 ,  4G077TC16 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC19 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 気相エピタキシャル成長法、半導体基板の製造方法、半導体基板及びハイドライド気相エピタキシー装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-027009   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体積層構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-103391   Applicant：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社

Cited by examiner (4)

• 気相エピタキシャル成長法、半導体基板の製造方法、半導体基板及びハイドライド気相エピタキシー装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-027009   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体積層構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-103391   Applicant：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-124610   Applicant：サンケン電気株式会社
• 窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-190968   Applicant：株式会社東芝