窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997190968
Publication number (International publication number)：1999040847
Application date： Jul. 16, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】シリコン基板などの各種基板上に、高品質かつ膜厚の厚い窒化ガリウム系半導体層を積層してなる半導体素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】シリコン基板上に低温成長バッファ層を介してインジウムを含んだ窒化ガリウム系半導体の緩衝層を堆積することにより、その上に高品質の窒化ガリウム系半導体層を厚く成長することができる。低温バッファ層は、条件に応じて設けなくて良い場合がある。また、緩衝層をブラッグ反射鏡とすれば、高効率の発光素子を実現できる。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板の上に積層された少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系半導体緩衝層と、前記緩衝層の上に積層された窒化ガリウム系半導体層と、を備え、前記基板と前記窒化ガリウム系半導体層との熱膨張率の差に起因する応力が前記緩衝層により緩和されるようにしたものとして構成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-038157 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-235013 Applicant：ローム株式会社
窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-305281 Applicant：日亜化学工業株式会社

Show all

Return to Previous Page