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J-GLOBAL ID：200903091338993650

超格子構造体及びそれを用いた半導体素子

Inventor：
角野 雅芳

About 角野 雅芳


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： ▲柳▼川 信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995248199
Publication number (International publication number)：1997092932
Application date： Sep. 27, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：
【要約】【課題】 同一基板上にエピタキシャル成長可能な複数の半導体素子層と金属層とを交互に積層させ、電気的にオーミックに直列接続させた半導体素子を得る。【解決手段】 NiIn0.24Al0.76ウエル層3とn-In0.53Ga0.47Asバリア層4とを交互に組合せて積層し、超格子構造体を形成する。このNiIn0.24Al0.76ウエル層3の真空準位と、n-In0.53Ga0.47Asバリア層4の伝導帯11と価電子帯13とのエネルギ準位、あるいはNiIn0.24Al0.76ウエル層3とn-In0.53Ga0.47Asバリア層4とにおける電子16の有効質量に対してNiIn0.24Al0.76ウエル層3とn-In0.53Ga0.47Asバリア層4との厚さを、透過電子波14が位相を強め合うようにする。
Claim (excerpt)：
金属間化合物結晶と半導体結晶とを交互に組合せてなることを特徴とする超格子構造体。
IPC (3)：
H01S 3/18 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/68
FI (3)：
H01S 3/18 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/68
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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