リチウムのスパッタリング

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤井紘一 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997521442
Publication number (International publication number)：2000509100
Application date： Dec. 05, 1996
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：

【要約】リチウムを、約8乃至約120kHz、好ましくは約10-100kHzの周波数を有する交流スパッタリング電位(39)を使用し、あるいは間欠的に印加されるDCスパッタリング電位と逆クリアリング電位とを使用して、金属リチウム面を備えたターゲット(22)からスパッタリングする。かかる方法を使用して、リチウムを窓ガラスへのコーティングのようなエレクトクロミック材料に被着することができる。

Claim (excerpt)：

(a)露出面を画成する金属リチウムの上層および金属支持層を有するターゲットと、対電極と、基体とを提供する工程と、 (b)ターゲット、対電極および基体を減圧下の略不活性雰囲気に保持するとともに、ターゲットを前記略不活性雰囲気に保持する工程と、 (c)前記ターゲットが前記対電極に対して負となるように交流電位または順方向の直流電位を含むスパッタリング電位を前記対電極と前記ターゲットとの間に印加する工程とを備え、該スパッタリング電位を印加する工程は前記ターゲットに隣接してプラズマを保持するとともに前記スパッタリング電位の影響下で前記ターゲットから金属リチウムをスパッタリングするように行われ、更に (d)前記スパッタリング電位の終了前の1つ以上の区間において、前記スパッタリング電位とは異なりかつ前記順方向とは反対の逆方向の逆電位を含むクリアリング電位を前記対電極と前記ターゲットとの間に印加する工程を備えることを特徴とするリチウムをスパッタリングする方法。

IPC (2)：

C23C 14/34 , G02F 1/15 505

FI (2)：

C23C 14/34 S , G02F 1/15 505

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特公平3-500096
特公平6-507732
直流マグネトロン型反応性スパッタ法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-032190 Applicant：中外炉工業株式会社

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