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J-GLOBAL ID：200903091529280972

窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法及びこれを備えた半導体光学装置

Inventor：
湯浅 貴之

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上田 吉裕

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伊藤 茂稔

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種谷 元隆

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谷 善平

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元木 健作

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Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

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住友電気工業株式会社

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Agent (1)： 佐野 静夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001330068
Publication number (International publication number)：2003133649
Application date： Oct. 29, 2001
Publication date： May. 09, 2003
Summary：
【要約】【課題】本発明は、内部の結晶欠陥が低減されるとともに応力の緩和された窒化物半導体レーザ素子及びこの窒化物半導体レーザー素子を備えた半導体光学装置を提供することを目的とする。【解決手段】結晶欠陥が高密度となる転位集中領域11と低転位領域12とを交互にストライプ状に備えたn型GaN基板10の表面上に、まず、GaN結晶成長を抑制する成長抑制膜13を転位集中領域11を被覆するように形成する。このように成長抑制膜13が形成されたn型GaN基板10上にGaN結晶をエピタキシャル成長させて窒化物半導体層を積層することで、結晶欠陥密度の低い窒化物半導体レーザ素子を製造する。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板上に積層された窒化物半導体層とから構成される窒化物半導体レーザ素子において、前記窒化物半導体基板が、結晶欠陥の集中するストライプ状の転位集中領域と、該転位集中領域を除く低転位領域とを具備した基板であるとともに、前記窒化物半導体基板の表面上の前記転位集中領域を被覆する位置に、窒化物半導体結晶の成長を抑制する成長抑制膜を有し、該成長抑制膜が設けられた前記窒化物半導体基板上に前記窒化物半導体結晶を成長させることで、前記窒化物半導体層が積層されることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (4)：
H01S 5/343 610 ,  C23C 16/04 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
FI (4)：
H01S 5/343 610 ,  C23C 16/04 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
F-Term (48)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AA14 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA51 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DQ08 ,  5F045HA12 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB18 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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