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J-GLOBAL ID：200903091572517340

無機半導体または蛍光体一次粒子の製造方法および無機半導体または蛍光体一次粒子

Inventor：
饗場 聡

About 饗場 聡

, 
占部 茂治

About 占部 茂治


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 飯田 敏三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004307636
Publication number (International publication number)：2005306713
Application date： Oct. 22, 2004
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：
【課題】輝度の高いミクロンサイズの無機半導体または蛍光体一次粒子、および液相中でこの無機半導体または蛍光体一次粒子を製造する方法を提供する。【解決手段】圧力0.2〜20MPa、温度120〜370°Cに設定した反応容器中の水を主とする溶媒中で、少なくとも1種の前駆体溶液を反応させて粒子形成する無機半導体または蛍光体一次粒子の製造方法。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
圧力0.2〜20MPa、温度120〜370°Cに設定した反応容器中の水を主とする溶媒中で、少なくとも1種の前駆体溶液を反応させて粒子形成することを特徴とする無機半導体一次粒子の製造方法。
IPC (5)：
C01G9/08 ,  C01G9/02 ,  C09K11/08 ,  C09K11/56 ,  H05B33/14
FI (5)：
C01G9/08 ,  C01G9/02 A ,  C09K11/08 A ,  C09K11/56 ,  H05B33/14 Z
F-Term (29)：
3K007AB02 ,  3K007DA04 ,  3K007DA05 ,  3K007DB02 ,  3K007DC01 ,  3K007DC02 ,  3K007DC04 ,  3K007EA02 ,  3K007EB05 ,  3K007EC01 ,  4G047AA02 ,  4G047AB02 ,  4G047AC03 ,  4G047AD03 ,  4G047AD04 ,  4H001CA02 ,  4H001CA04 ,  4H001CF01 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001YA00 ,  4H001YA13 ,  4H001YA17 ,  4H001YA25 ,  4H001YA29 ,  4H001YA35 ,  4H001YA47 ,  4H001YA53 ,  4H001YA79
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • EL蛍光体粉末
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-337664   Applicant：三菱マテリアル株式会社
  • 電界発光素子用蛍光体の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-211156   Applicant：関西日本電気株式会社
  • 蛍光体の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-122217   Applicant：関西日本電気株式会社
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