半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999369866
Publication number (International publication number)：2001185651
Application date： Dec. 27, 1999
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】リードフレームを用いて半導体装置を構成した場合、通常の構造、工法では極薄型の半導体装置は実現できなかった。【解決手段】極薄厚の半導体素子10と、その周囲に配置された外部電極11と、それらの間を接続した金属細線12と、外囲を絶縁性樹脂で外形が直方体を構成するように封止した封止樹脂13とより構成され、半導体素子10と外部電極11の底面が封止樹脂13の底面で露出され、半導体素子10の上面と外部電極11の上面の位置が略同一位置である半導体装置であり、底面側からの電極部材、半導体素子を研削することによって極薄厚を実現した半導体装置である。

Claim (excerpt)：

半導体素子と、前記半導体素子の周囲に配置された外部電極と、前記外部電極の表面と前記半導体素子の電極とを電気的に接続した細線と、前記半導体素子、外部電極、細線の外囲を外形が直方体を構成するように封止した封止樹脂とより構成され、前記半導体素子および外部電極の底面が前記封止樹脂の底面から露出し、前記半導体素子の上面と前記外部電極の上面の位置が略同一位置であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/12 , H01L 21/56 , H01L 23/28 , H01L 23/50

FI (4)：

H01L 21/56 R , H01L 23/28 A , H01L 23/50 L , H01L 23/12 L

F-Term (14)：

4M109AA01 , 4M109BA01 , 4M109CA21 , 4M109DA04 , 4M109DA10 , 5F061AA01 , 5F061BA01 , 5F061CA21 , 5F061CB13 , 5F067AA01 , 5F067AB04 , 5F067BC12 , 5F067BE10 , 5F067DF01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法、半導体装置用導電性板および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-262124 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平3-034446
樹脂封止型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-011286 Applicant：株式会社東芝

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