半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：五十嵐省三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993352438
Publication number (International publication number)：1995201775
Application date： Dec. 30, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】金属シリサイド層の層抵抗のばらつき及び増大化を防止して半導体装置の歩留り低下を防止すること。【構成】ポリシリコン層4の側面にポリシリコン層4の高さより低い側壁酸化層6’を形成する。次に、全面にチタン層8を形成する。次に、チタン層8とポリシリコン層4とを熱処理により反応させて均一なチタンシリサイド層9’を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1)上にポリシリコン層(4)を形成する工程と、該ポリシリコン層の側面に該ポリシリコン層の高さより低い側壁絶縁層(6’)を形成する工程と、前記半導体基板、前記ポリシリコン層及び前記側壁絶縁層上に高融点金属層(8)を形成する工程と、該高融点金属層と前記ポリシリコン層とを熱処理により反応させて金属シリサイド層(9’)を形成する工程とを具備する半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-272754 Applicant：セイコーエプソン株式会社
MOSトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-289131 Applicant：ソニー株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-291873 Applicant：株式会社東芝

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