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J-GLOBAL ID：200903092310904527

サリサイド型MOSFET及びその製造方法

Inventor： 井田 次郎
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993210584
Publication number (International publication number)：1995066406
Application date： Aug. 25, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ゲート寸法が縮小化されるに伴い、ゲート抵抗が増えるのを抑え、回路の高速動作を図り得るサリサイド型MOSFET及びその製造方法を提供する。【構成】 サリサイド型MOSFETにおいて、ゲート電極24の両側面の少なくとも一部及び該ゲート電極24のサイドウォール28の下方の少なくとも一部に高融点金属シリサイド31を形成する。

Claim (excerpt)：

ゲート電極の両側面の少なくとも一部に形成される高融点金属シリサイドを具備することを特徴とするサリサイド型MOSFET。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-077942   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-186733
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-272754   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭63-136670
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-016538   Applicant：株式会社東芝
• MOS型半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-088351   Applicant：オリンパス光学工業株式会社