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J-GLOBAL ID：200903091735751922

半導体試料の欠陥評価方法及び装置

Inventor：
田島 道夫

About 田島 道夫

, 
塩見 弘

About 塩見 弘


Applicant, Patent owner：
独立行政法人 宇宙航空研究開発機構

About 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構


Agent (5)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004335889
Publication number (International publication number)：2006147848
Application date： Nov. 19, 2004
Publication date： Jun. 08, 2006
Summary：
【課題】 フォトルミネッセンス法により、非破壊、非接触で半導体試料の結晶構造欠陥の2次元分布の評価を高精度で行うことを可能にする方法及び装置を提供する。【解決手段】 半導体試料に光を照射して、該半導体試料によりフォトルミネッセンス光を放出させる工程、放出されたフォトルミネッセンス光を分光して、フォトルミネッセンス光の波長情報及び強度情報を得る工程、及び得られたフォトルミネッセンス光の波長情報及び強度情報から、半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を得る工程を含み、半導体試料を構成する半導体が、ワイドギャップ半導体である、半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を評価する方法。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を評価する方法であって、 前記半導体試料に光を照射して、該半導体試料によりフォトルミネッセンス光を放出させる工程、 放出されたフォトルミネッセンス光を分光して、フォトルミネッセンス光の波長情報及び強度情報を得る工程、及び、 得られたフォトルミネッセンス光の波長情報及び強度情報から、前記半導体試料の結晶構造欠陥の二次元的な分布を得る工程、 を含み、 前記半導体試料を構成する半導体が、ワイドギャップ半導体である、 ことを特徴とする、前記評価方法。
IPC (2)：
H01L 21/66 ,  G01N 21/64
FI (2)：
H01L21/66 N ,  G01N21/64 Z
F-Term (17)：
2G043AA03 ,  2G043CA07 ,  2G043EA01 ,  2G043FA01 ,  2G043HA01 ,  2G043HA09 ,  2G043JA03 ,  2G043KA03 ,  2G043LA01 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106BA07 ,  4M106CA18 ,  4M106CB19 ,  4M106DA15 ,  4M106DH32 ,  4M106DJ04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特公平7-120698号公報
Cited by examiner (4)
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