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J-GLOBAL ID:200903091793841176

ダイヤモンド基板及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004302041
Publication number (International publication number):2006111500
Application date: Oct. 15, 2004
Publication date: Apr. 27, 2006
Summary:
【課題】基板処理装置において取扱いが容易であり、且つ、ダイヤモンドの気相成長温度と同程度の高温にも耐えられるダイヤモンド基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド基板1は、第1の領域11と第1の領域11を取り囲む第2の領域12とを含む主面13を有し、第1の領域11に貫通孔14を有する基板10と、貫通孔14内に配置された単結晶ダイヤモンド部20と、第2の領域12上から単結晶ダイヤモンド部20上に渡って設けられており、基板10及び単結晶ダイヤモンド部20に固定された多結晶ダイヤモンド部30とを備える。この構成では、単結晶ダイヤモンド部20は、多結晶ダイヤモンド部30によって、基板10に対して位置が固定される。その結果、基板処理装置を利用してダイヤモンド基板1を処理するときの取扱が容易になり、また、ダイヤモンドの気相成長温度と同程度の高温にも耐えられる。【選択図】図2
Claim (excerpt):
第1の領域と該第1の領域を取り囲む第2の領域とを含む主面を有し、該第1の領域に貫通孔を有する基板と、 前記貫通孔内に配置された単結晶ダイヤモンド部と、 前記第2の領域上から前記単結晶ダイヤモンド部上に渡って設けられており、前記基板及び前記単結晶ダイヤモンド部に固定された多結晶ダイヤモンド部と、 を備える、ダイヤモンド基板。
IPC (3):
C30B 29/04 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/16
FI (3):
C30B29/04 P ,  H01L21/205 ,  H01L29/16
F-Term (41):
4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EG03 ,  4G077TA04 ,  4G077TA12 ,  4G077TF01 ,  4G077TF02 ,  4G077TF04 ,  4G077TK01 ,  4K030AA07 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030BB02 ,  4K030BB03 ,  4K030BB11 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  5F045AA03 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC01 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045EE12
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
  • ダイヤモンド部品
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-034305   Applicant:住友電気工業株式会社
  • 特開昭62-154651
  • 特開平1-162770
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