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J-GLOBAL ID：200903091805539144

不可逆特性を持つ磁気システムおよびこの種システムを作成し修理し操作する方法

Inventor： カールス-ミッチェル、エイチ.レンセン ,  デルク、ジェイ.アデレローフ ,  ジェラルデュス、エイチ.ジェイ.ソマース ,  ヨアネス、ビー.エイ.ディー.バン、ゾン ,  アントニウス、イー.ティー.クイパー
Applicant, Patent owner： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
Agent (1)： 吉武 賢次 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001505211
Publication number (International publication number)：2003502876
Application date： Jun. 16, 2000
Publication date： Jan. 21, 2003
Summary：

【要約】新規な磁気データ記憶システム及び磁気特性感知システムが開示される。本システムは外部磁界内において不可逆である磁化方向を持つ。この種システムの製造方法、リセット又は変更又は修理の方法、及び、操作方法が開示される。本システムは平衡構成された1組の磁気デバイスを含み得る。前記デバイスの各々は、実質的に、それらの間に少なくとも1つの非磁性材料製分離層を備えた少なくとも1つの第1強磁性層および第2強磁性層を有し、前記構造は少なくとも1つの磁気抵抗効果を有する。前記デバイスの少なくとも1つの第1強磁性層の磁化方向は約35kA/m以上の外部磁気内において不可逆である。

Claim (excerpt)：

磁気特性感知システムであって、前記システムが平衡構成された1組の磁気デバイスを含み、実質的に前記デバイスの各々がそれらの間に少なくとも1つの非磁性材料製分離層を備えた少なくとも1つの第1強磁性層および1つの第2強磁性層を含む層構造を有し、前記構造が少なくとも磁気抵抗効果を有し、ここに、約35kA/m以上の値を持つ外部磁界内において前記デバイスのなかの少なくとも1つのデバイスの前記第1強磁性層の前記磁化方向が不可逆である感知システム。

IPC (9)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (11)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 P ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 E ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447

F-Term (9)：

2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA04 ,  5D034BB02 ,  5E049AA01 ,  5E049AA07 ,  5E049BA16 ,  5F083FZ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 磁気抵抗センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-039319   Applicant：三菱電機株式会社
• 磁界センサ、そんなセンサを具えた装置及びそんなセンサを製造する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-526837   Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• 磁界センサー及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-283070   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 磁界を感知する磁気抵抗センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-085378   Applicant：富士通株式会社