無電解Ni-Bめっき液、電子デバイス装置及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：渡邉勇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001034428
Publication number (International publication number)：2002226974
Application date： Feb. 09, 2001
Publication date： Aug. 14, 2002
Summary：

【要約】【課題】めっき速度を上げることなく、めっき膜中の硼素の含有量を減して、fcc結晶構造のNi-B合金膜を形成できるようにする。【解決手段】埋め込み配線構造を有する電子デバイス装置の配線の少なくとも一部にNi-B合金膜を無電解めっきで形成するめっき液であって、ニッケルイオン、ニッケルイオンの錯化剤、ニッケルイオンの還元剤としてのアルキルアミンボランまたは硼素化水素化合物及びアンモニアイオン(NH4+)を含有する。

Claim (excerpt)：

埋め込み配線構造を有する電子デバイス装置の配線の少なくとも一部にNi-B合金膜を無電解めっきで形成するめっき液であって、ニッケルイオン、ニッケルイオンの錯化剤、ニッケルイオンの還元剤としてのアルキルアミンボランまたは硼素化水素化合物及びアンモニアイオン(NH4+)を含有することを特徴とする無電解Ni-Bめっき液。

IPC (4)：

C23C 18/34 , C23C 18/16 , H01L 21/288 , H01L 21/3205

FI (4)：

C23C 18/34 , C23C 18/16 B , H01L 21/288 N , H01L 21/88 R

F-Term (50)：

4K022AA02 , 4K022AA37 , 4K022AA41 , 4K022BA04 , 4K022BA14 , 4K022DA01 , 4K022DB03 , 4K022DB04 , 4K022DB07 , 4M104BB05 , 4M104BB37 , 4M104BB39 , 4M104DD37 , 4M104DD53 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH05 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH14 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ14 , 5F033JJ33 , 5F033KK00 , 5F033LL04 , 5F033LL07 , 5F033LL09 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033WW00 , 5F033XX20 , 5F033XX28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

基材表面の微小孔又は微細凹みの充填又は被覆方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-091778 Applicant：株式会社東芝, 株式会社荏原製作所
特開平3-100179
高硬度無電解ニッケル-ホウ素メッキ液及びそれを使用するメッキ方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-136969 Applicant：ディップソール株式会社

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