電極に銀を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上野英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997345585
Publication number (International publication number)：1999186599
Application date： Dec. 15, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】p型族窒化物半導体を有する光電子装置の光電気特性を向上する。【解決手段】p型窒化物半導体層に銀層を備え、該銀層が電極として機能するとともに短波長光の光透過層あるいは反射層として機能するようにしている。厚さ20nmより薄くして透過率の高い透明p電極としたり20nmより厚くして反射率の高い反射p電極としている。上記銀の機械的、電気的特性とを向上するため金属や誘電体の安定化層で銀層を覆うのが好ましい。また透過率をより高めるため誘電体の安定化層の選択がなされ光学整合層をかねるようにできる。

Claim (excerpt)：

基板と該基板上のn型窒化物半導体層と、n型窒化物半導体層上の窒化物半導体からなる活性層と、活性層上のp型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層上の銀層と、を備えたLED部材。

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-022196 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-234685 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-290499 Applicant：沖電気工業株式会社

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