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J-GLOBAL ID:200903091850501719

プラズマ処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高山 宏志
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998096931
Publication number (International publication number):1999283940
Application date: Mar. 26, 1998
Publication date: Oct. 15, 1999
Summary:
【要約】【課題】 プラズマ状態をより適切に制御してプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】 処理ガスのプラズマを用いて基板に対してプラズマ処理を行うにあたり、プラズマの電気的負性度を制御する。具体的には、チャンバー内圧力およびRF電源11’の周波数とRF電力により形成されたプラズマの電気的負性度との関係を予め設定しておき、コントローラ18により、圧力センサー17で検出された圧力値と周波数検出器15で検出された周波数値に基づいて、プラズマの電気的負性度が適切な値になるようにチャンバー内圧力およびRF電源の周波数をフィードバック制御して、リアルタイムでプラズマの電気的負性度を適切な値に制御する。この場合に、プラズマの電気的負性度は一次元RCTモデルに基づくプラズマ状態のシミュレーションで把握することができる。
Claim (excerpt):
処理ガスのプラズマを用いて基板に対してプラズマ処理を行うにあたり、プラズマの電気的負性度を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5):
H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (5):
H01L 21/302 Z ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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