薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：長南満輝男 , 花輪義男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004378476
Publication number (International publication number)：2006100760
Application date： Dec. 28, 2004
Publication date： Apr. 13, 2006
Summary：

【課題】真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜を有する薄膜トランジスタの製造に際し、加工精度を良くする。【解決手段】まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜8の上面全体に保護膜9を形成し、その上に上層絶縁膜12を成膜する。次に、上層絶縁膜12および保護膜9にコンタクトホール10、11を形成する。この場合、チャネル長Lは2つのコンタクトホール10、11間の間隔により決定され、チャネル幅Wはコンタクトホール10、11の所定方向の寸法により決定される。これにより、半導体薄膜8にサイドエッチングがやや生じても、チャネル長Lおよびチャネル幅Wに寸法変化が生じることはない。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体薄膜と、該半導体薄膜の一面に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して前記半導体薄膜に対向して形成されたゲート電極と、前記半導体薄膜に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであって、前記半導体薄膜の周辺部上に、該半導体薄膜の端面と同一形状の端面を有する絶縁膜が形成され、該絶縁膜から露出された前記半導体薄膜に前記ソース電極および前記ドレイン電極が接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 627C

F-Term (36)：

5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG45 , 5F110HJ12 , 5F110HJ22 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL08 , 5F110HL11 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110QQ01 , 5F110QQ09 , 5F110QQ12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-252845 Applicant：カシオ計算機株式会社

Cited by examiner (6)

特開昭59-050564
特開昭61-089671
半導体装置及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-065813 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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