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J-GLOBAL ID：200903092173533001

パターン化カーボンナノチューブ膜

Inventor： モウ、アルバート ,  ダイ、リ - ミン ,  ファン、シャオミン ,  ヤン、ヨン、ユアン ,  ヘ、フイ、ズウ
Applicant, Patent owner： コモンウエルス サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ オーガナイゼーション
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000621279
Publication number (International publication number)：2003500324
Application date： May. 25, 2000
Publication date： Jan. 07, 2003
Summary：

【要約】本発明は、基体上に配列したカーボンナノチューブのパターン化層を製造する方法において、ナノチューブの成長を支持することができる基体表面の少なくとも一部分にホトレジスト層を適用し、前記ホトレジスト層の領域をマスクして、マスクされた部分とマスクされていない部分とを与え、前記マスクされていない部分を、その部分を変質するのに充分な波長及び強度の電磁波に当て、一方前記マスクされた部分を実質的に未変化のままにし、前記変質した部分が前記非変質部分とは異なった溶解度特性を示し、前記ホトレジストの前記変質部分及び非変質部分の一方を溶解し、他方の部分を前記基体に付着したままにしておくのに充分な時間及び条件下で溶媒と接触させることにより前記ホトレジスト層を現像し、前記残留ホトレジスト部分が付着していない前記基体の領域上で配列カーボンナノチューブの層を合成し、前記基体上にパターン化した配列カーボンナノチューブ層を与える、工程を有するカーボンナノチューブ層の製造方法に関する。

Claim (excerpt)：

基体上に配列したカーボンナノチューブのパターン化層を製造する方法において、 ナノチューブの成長を支持することができる基体表面の少なくとも一部分にホトレジスト層を適用し、 前記ホトレジスト層の領域をマスクして、マスクされた部分とマスクされていない部分とを与え、 前記マスクされていない部分を、その部分を変質するのに充分な波長及び強度の電磁波に当て、一方前記マスクされた部分を実質的に変質されていない状態のままにし、前記変質した部分が前記非変質部分とは異なった溶解度特性を示し、 前記ホトレジストの前記変質部分及び非変質部分の一方を溶解し、他方の部分を前記基体に付着したままにしておくのに充分な時間及び条件下で溶媒と接触させることにより前記ホトレジスト層を現像し、 前記残留ホトレジスト部分が付着していない前記基体領域上で配列カーボンナノチューブの層を合成し、前記基体上にパターン化した配列カーボンナノチューブ層を与える、工程を有するカーボンナノチューブ層の製造方法。

F-Term (5)：

4G046CA02 ,  4G046CB03 ,  4G046CC03 ,  4G046CC06 ,  4G046CC08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 炭素質ファイバーの作成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-028087   Applicant：科学技術振興事業団, 松下電器産業株式会社
• キノンジアジドの合成法およびこれを含むポジ型レジスト
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-267490   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 電界放出型冷陰極装置、その製造方法及び真空マイクロ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-249096   Applicant：株式会社東芝
• カーボンナノチューブの製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-161292   Applicant：キヤノン株式会社
• カーボンナノチューブ及びカーボンナノチューブ膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-087518   Applicant：財団法人ファインセラミックスセンター