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J-GLOBAL ID：200903092192762291

レジスト組成物

Inventor：
佐藤 健一郎

About 佐藤 健一郎


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (5)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  栗宇 百合子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002260191
Publication number (International publication number)：2004101642
Application date： Sep. 05, 2002
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：
【課題】超LSIや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて好適に使用することができ、エッチング時の表面荒れが低減されたレジスト組成物、また更には、感度、解像力、プロファイル、パターン倒れ、サイドローブマージン、疎密依存性などの諸特性にも優れたレジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)水酸基が脂肪族環状炭化水素基に置換した部分構造を有し、ガラス転移温度が120°C〜180°Cである、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)溶剤を含有するレジスト組成物。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
(A)水酸基が脂肪族環状炭化水素基に置換した部分構造を有し、ガラス転移温度が120°C〜180°Cである、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)溶剤を含有するレジスト組成物。
IPC (2)：
G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (2)：
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (20)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025CB60 ,  2H025CC03 ,  2H025FA17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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