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J-GLOBAL ID:200903092430549160
面発光レーザ
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山本 秀策
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995294593
Publication number (International publication number):1996213701
Application date: Nov. 13, 1995
Publication date: Aug. 20, 1996
Summary:
【要約】【課題】 連続波長単一モード電力出力の向上を可能にするVCSELを提供する。【解決手段】 面発光レーザは、発光源の供給に用いられる多重量子井戸(MQW)活性領域を有する光キャビティを備えている。上および下ミラーは、MQW活性領域の上および下にそれぞれ配置される。MQW活性領域は、その周辺部よりも中心部に、より多くの数の量子井戸を有するように形成されている。他の実施態様において、電流ガイド領域は、比較的小さなアパーチャを有しMQW活性領域の中心部へ延びている第1の電流ガイド部および比較的大きなアパーチャを有する第2の電流ガイド部を有するように形成されている。ならびにミラーの1つは、ミラーの断面領域の中心部における構造が断面領域の周辺部の構造と異なる層構造を有している。
Claim (excerpt):
発光源の供給に用いられる多重量子井戸(MQW)活性領域を有する光キャビティ、および該MQW活性領域の上および下にそれぞれ配置される上および下ミラーを備えている面発光レーザであって、該MQW活性領域が、その周辺部より中心部により多くの数の量子井戸を有するように形成されている面発光レーザ。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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光機能素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-253108
Applicant:工業技術院長
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注入物をもつ頂部放出型VCSEL
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-087758
Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
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半導体発受光素子及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-243683
Applicant:株式会社日立製作所
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半導体レーザの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-129182
Applicant:日本電気株式会社
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面発光半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-101065
Applicant:株式会社日立製作所
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