結晶膜、結晶基板および半導体装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤島洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001010708
Publication number (International publication number)：2002217115
Application date： Jan. 18, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：

【要約】【課題】転位の存在する結晶下地を用いて、低転位密度の結晶膜,結晶基板および半導体装置が得られるようにする。【解決手段】成長用基板11の一面側にバッファ層12を介して結晶層13が設けられている。結晶層13には、下から伸びる各転位D1 の終端に空間部13a,13bが形成されている。空間部13a,13bにより転位D1 と上層部は隔てられ、上層部側への各転位D1 の伝播が阻止されている。空間部13a,13bはまた、バーガース・ベクトルで表される転位D1 の変位が保存されて新たに転位が生じる場合に、その変位の向きを変化させる。転位D1 は空間部13a,13bによって一様に遮断され、空間部13a,13bより上層部では低転位密度の結晶層が得られる。

Claim (excerpt)：

転位が存在する下地層上に成長させる結晶膜であって、前記下地層から上層側へ伝播しようとする転位の終端位置に対応して空間部が形成されていることを特徴とする結晶膜。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01S 5/323 610

FI (2)：

H01L 21/205 , H01S 5/323 610

F-Term (20)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC18 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD11 , 5F045AD14 , 5F045AF04 , 5F045AF07 , 5F045BB12 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA67 , 5F045DB01 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

GaN系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体基材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-037577 Applicant：三菱電線工業株式会社
結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-217911 Applicant：ソニー株式会社
結晶膜、結晶基板および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-010709 Applicant：ソニー株式会社

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Cited by examiner (6)

GaN系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体基材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-037577 Applicant：三菱電線工業株式会社
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結晶膜、結晶基板および半導体装置の製造方法
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