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J-GLOBAL ID：200903092553830009

半導体発光装置

Inventor：
岸本 達也

About 岸本 達也


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998276891
Publication number (International publication number)：2000114589
Application date： Sep. 30, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 一導電型半導体層の露出部Rにおける逆導電型半導体層の側壁部が順メサ構造であることに起因して電極の短絡と印画品質の劣化が発生するという問題があった。【解決手段】 基板上に島状の一導電型半導体層を設けると共に、この一導電型半導体層上にこの一導電型半導体層の一部が露出するように逆導電型半導体層を設け、この一導電型半導体層の露出部と前記逆導電型半導体層上に電極を接続して設けた半導体発光装置において、前記一導電型半導体層の露出部における前記逆導電型半導体層の側壁部を逆メサ構造としたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に島状の一導電型半導体層を設けると共に、この一導電型半導体層上にこの一導電型半導体層の一部が露出するように逆導電型半導体層を設け、この一導電型半導体層の露出部と前記逆導電型半導体層上に電極を接続して設けた半導体発光装置において、前記一導電型半導体層の露出部における前記逆導電型半導体層の側壁部を逆メサ構造としたことを特徴とする半導体発光装置。
F-Term (7)：
5F041AA06 ,  5F041AA14 ,  5F041CA04 ,  5F041CA36 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (12)
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Cited by examiner (3)
  • 半導体発光装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-149969   Applicant：日本ビクター株式会社
  • 半導体発光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-044451   Applicant：株式会社東芝
  • 特開昭63-031187

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