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J-GLOBAL ID：200903031159104590

半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor：
高橋 孝志

About 高橋 孝志


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997362056
Publication number (International publication number)：1999177184
Application date： Dec. 11, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】 ボンディング時に電極剥がれが生じない電極構造をより簡便に形成することの可能な窒化ガリウム系化合物の半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 絶縁性の基板101上に、積層構造103〜107をエピタキシャル成長し、積層構造の一部を表面からn型GaNコンタクト層103に達するまで除去し、所定領域を除いて積層構造表面に絶縁膜108を被覆し、絶縁膜108で被覆されていないp型GaNコンタクト層107表面にp側オーミック電極109を形成し、絶縁膜108で被覆されていないn型コンタクト層103表面に形成されるべきn側オーミック電極110とp側電極109および絶縁膜108上に形成されるべきp側ボンディング用の配線電極111とを、TiまたはAlと金属との積層構造、あるいはTiまたはAlを含む合金からなる電極で同時に形成する。
Claim (excerpt)：
絶縁性の基板上に、少なくとも、n型GaNコンタクト層,n型Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Nクラッド層(0<x≦1)、n型またはp型またはノンドープIn<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N活性層(0≦y≦1),p型Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Nクラッド層,p型GaNコンタクト層を含む積層構造をエピタキシャル成長し、積層構造の一部を表面からn型GaNコンタクト層に達するまでエッチングして除去し、p型GaNコンタクト層表面およびエッチングで除去して表面が露出したn型コンタクト層表面のストライプ状領域を除いて積層構造表面に絶縁膜を被覆し、絶縁膜で被覆されていないストライプ状のp型GaNコンタクト層表面にp側オーミック電極を形成し、絶縁膜で被覆されていないストライプ状のn型コンタクト層表面に形成されるべきn側オーミック電極とp側電極および絶縁膜上に形成されるべきp側ボンディング用の配線電極とを、TiまたはAlと金属との積層構造、あるいはTiまたはAlを含む合金からなる電極で同時に形成することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (21)
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