Pat

J-GLOBAL ID：200903092610662983

メモリ素子およびメモリ装置

Inventor： 角野 宏治 ,  阿多 誠文
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003343948
Publication number (International publication number)：2004146821
Application date： Oct. 02, 2003
Publication date： May. 20, 2004
Summary：

【課題】 高密度・高集積化を容易に可能とするスピン注入型のメモリ素子およびメモリ装置を提供する。【解決手段】 磁気メモリ素子MM1は、偏極スピン電子の注入により磁化反転を引き起して書き込みを行う「スピン注入型」の磁気メモリ素子である。カーボンナノチューブ10を1構成単位とし、その軸方向における中央部をスピン伝導層3とし、両端部に、磁化配向が一定方向に固定された固定層1,偏極スピン電子の流入によって磁化配向が変化する自由層2がそれぞれ内包されている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

電子がスピン偏極した状態を保持する保持部と、 中空の筒状分子の少なくとも一部からなり、スピン偏極した電子を伝導させるスピン伝導層とを備え、 スピン偏極した電子の注入によって、前記保持部に電子のスピン偏極した状態として情報が書き込まれる ことを特徴とするメモリ素子。

IPC (4)：

H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L29/06 ,  H01L29/82

FI (4)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/82 Z

F-Term (1)：

5F083FZ10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 不揮発性ランダムアクセスメモリー装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-277687   Applicant：ソニー株式会社
• 特許第2546114号公報
  

Cited by examiner (3)

• 不揮発性ランダムアクセスメモリー装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-277687   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気記憶装置および磁気記憶アレイ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-512982   Applicant：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
• 磁気電子デバイス及び磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-062425   Applicant：株式会社日立製作所